MEIDEN使用PillarHall?測試芯片開發(fā)用于ALD應用的純臭氧發(fā)生器 

MEIDEN NANOPROCESS創(chuàng)新公司位于日本千葉，在高濃度和高純度臭氧發(fā)生器技術方面擁有重要的專業(yè)知識。臭氧具有多種用途，從消毒水和醫(yī)療設備到在半導體工業(yè)的表面改性和薄膜形成中發(fā)揮關鍵作用。

2023年7月，在美國貝爾維尤舉行的第23屆國際原子層沉積會議（ALD 2023）上，該公司展示了使用其尖端純臭氧發(fā)生器在金屬氧化物ALD薄膜形成中的有趣研究結果。

與傳統(tǒng)臭氧發(fā)生器相比，純臭氧發(fā)生器產(chǎn)生極高濃度（>90% wt %），高純度和長壽命的臭氧氣體。研究表明，這種純臭氧氣體促進了ALD過程中膜的形成。

利用PillarHall?LHAR4測試芯片及其測量方法，MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS證明，與氧等離子體相比，使用純臭氧作為氧前體可以提高膜滲透深度10倍以上。此外，還實現(xiàn)了超高長徑比1500:1的保形沉積（圖1）。

圖1所示 從PillarHall?實驗中提取的PO-（純臭氧）和O2 -等離子體作為TMA在ALD Al2O3過程中的氧前驅(qū)體的膜穿透深度曲線。

研究結果表明，使用純臭氧作為氧化氣體，其壽命長，濃度高，即使在非常高寬高比的腔中也能支持保形膜的生長，而不會改變膜的基本性質(zhì)，如每周期生長和介電常數(shù)。這種現(xiàn)象可以通過反應動力學來解釋，其中氧氣等離子體和純臭氧在狹窄腔內(nèi)的擴散、表面覆蓋和氧自由基碰撞不同，如圖2所示。

圖2 與氧等離子體相比，純臭氧（PO）氣體如何在高縱橫比溝槽中改善薄膜生長的建議途徑。

MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS INC.的Naoto Kameda博士分享說：“在3D-NAND和MEMS等高縱橫比空腔上沉積高k氧化物的需求越來越大。我們的純臭氧發(fā)生器技術是關鍵解決方案之一，因為它可以在低溫下實現(xiàn)超保形膜，正如PillarHall測試的那樣?！?br/>

PillarHall LHAR測試芯片是芬蘭Chipmetrics有限公司的產(chǎn)品。Chipmetrics首席執(zhí)行官Mikko Utriainen博士指出：“快速準確的PillarHall LHAR測試芯片是ALD工藝及其3D應用開發(fā)商廣泛使用的薄膜表征工具。因此，看到PillarHall也被用于臭氧發(fā)生器的開發(fā)是令人著迷的?！?br/>

參考

[1]等離子體輔助SiO2、TiO2、Al2O3和HfO2原子層沉積過程中O原子的共形性和提取復合概率

K. Arts， M. Utriainen， R. L. Puurunen， W. M. Kessels， H. C. M. Knoops， J. Phys?；瘜W。中國生物工程學報，2019,44,27030-27035；

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